Gia công uốn đơn tinh thể Si với kích thước μm ở nhiệt độ 350℃

Trong hội nghị Quốc tế IEEE MEMS 2013 liên quan đến MEMS được tổ chức vào tháng 1/2013 có phát biểu chứng thực việc gia công uốn đơn tinh thể Si với kích thước μm ở nhiệt độ 350℃. Từ trước đến nay, đơn tinh thể Si từ kết quả thực nghiệm với kích thước mm ở nhiệt độ dưới 600℃ và tác động một lực vào thì tính đàn hồi bị biến dạng, nếu tăng thêm một lực lớn thì bị phá hủy. Điều này chứng minh, với nhiệt độ dưới 600℃ thì không thể thực hiện việc uốn cong được.

pht
Trạng thái đã uốn cong của tinh thể Si (Theo tài liệu của ĐH Nagoya-Japan)

Trong thực nghiệm lần này đã sử dụng đơn tinh thể Si với kích thước 2μm nung trong nhiệt độ từ 350~500℃ đã tạo ra hình dạng bị biến đổi vĩnh viễn. Trong thực nghiệm đã uốn cong thành cuộn đơn tinh thể Si với kích thước 2μm, bề rộng 10μm và được nung trong thời gian 30′ tại nhiệt độ 500℃. Nếu ứng dụng kết quả này vào việc gia công MEMS với nhiệt độ thấp hơn thì cũng có thể tạo được hình dạng 3 chiều hình thành trên tấm Si bằng cách như khắc bằng axit.

So với các kết quả nghiên cứu khác, nếu giảm kích thước nhỏ hơn nữa thì cũng có thể thay đổi hình dạng vĩnh viễn ở nhiệt độ thấp hơn 350℃ và có khả năng được tăng bề rộng của gia công MEMS.

Theo  TechOn

CHIA SẺ ĐỂ LAN TỎA

0Shares
0

Bình Luận

comments

Bài viêt liên quan